Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / SM8S13AHE3/2E
Herstellerteilenummer | SM8S13AHE3/2E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SM8S13AHE3/2E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S13AHE3/2E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 13V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 14.4V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 21.5V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 307A |
Leistung - Spitzenimpuls | 6600W (6.6kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | Automotive |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-218AB |
Supplier Device Package | DO-218AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S13AHE3/2E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SM8S13AHE3/2E-FT |
SM5S36A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36AHE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36AHE3_A/K
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6A27-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S10A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S10AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S10AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A42MX16-2PQG100
Microsemi Corporation
XA6SLX45T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ84M
Microsemi Corporation
A54SX08-2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQI
Microchip Technology
EPF10K100ABC600-2
Intel
EP4SGX290FH29C3
Intel
EP4CE22E22I8LN
Intel
5SGXEA4H1F35C2N
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel