Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / SM8S20HE3/2D
Herstellerteilenummer | SM8S20HE3/2D |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SM8S20HE3/2D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S20HE3/2D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 20V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 22.2V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 35.8V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 184A |
Leistung - Spitzenimpuls | 6600W (6.6kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | Automotive |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-218AB |
Supplier Device Package | DO-218AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S20HE3/2D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SM8S20HE3/2D-FT |
SM6S16AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S16AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S16HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S17A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S17AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S17AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S17HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S18AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S18AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S18HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX100T-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC2S100-5PQG208I
Xilinx Inc.
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A42MX24-PQ208M
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SCE144C8G
Intel
5SGXEA7N3F45C4N
Intel
5SGXMABK2H40I3N
Intel
LFE3-70EA-8LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE40F29I8LN
Intel