Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / SM8S20HE3/2E
Herstellerteilenummer | SM8S20HE3/2E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SM8S20HE3/2E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S20HE3/2E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 20V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 22.2V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 35.8V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 184A |
Leistung - Spitzenimpuls | 6600W (6.6kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | Automotive |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-218AB |
Supplier Device Package | DO-218AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S20HE3/2E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SM8S20HE3/2E-FT |
SM6S16AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S16HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S17A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S17AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S17AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S17HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S18AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S18AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S18HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S20-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K30ATC144-2
Intel
XCV50E-8FG256C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C6N
Intel
10AX048H3F34E2SG
Intel
EP3SL110F1152I3
Intel
XC6VCX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC20E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation