Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / SM8S36A-E3/2D
Herstellerteilenummer | SM8S36A-E3/2D |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SM8S36A-E3/2D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PAR® |
SM8S36A-E3/2D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 36V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 40V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 58.1V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 114A |
Leistung - Spitzenimpuls | 6600W (6.6kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-218AB |
Supplier Device Package | DO-218AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S36A-E3/2D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SM8S36A-E3/2D-FT |
SM6S36HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8A27-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10AHE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10HE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S11-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S11AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
LAXP2-8E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50AN-4FT256C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-4300E-5UWG81ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F484C4N
Intel
EP4CE22F17C9L
Intel
5SEEBF45I3L
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
M1A3P1000-1FGG144M
Microsemi Corporation
EPF10K10AQC208-3N
Intel