Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / SM8S40AHE3_A/I
Herstellerteilenummer | SM8S40AHE3_A/I |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SM8S40AHE3_A/I |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S40AHE3_A/I Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 40V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 44.4V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 64.5V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 102A |
Leistung - Spitzenimpuls | 6600W (6.6kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | Automotive |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-218AB |
Supplier Device Package | DO-218AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S40AHE3_A/I Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SM8S40AHE3_A/I-FT |
SM8S10HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10HE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S11-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S11AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S11AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S11HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S12-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S12A-001HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S12AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S12AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S200A-4FG320I
Xilinx Inc.
A1010B-PLG68I
Microsemi Corporation
EP3SL340F1760I3
Intel
5SGXEA9K2H40I2
Intel
XC5VLX30-1FF676C
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M20SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX22CF19C7
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel