Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / SMCG110A-M3/57T
Herstellerteilenummer | SMCG110A-M3/57T |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SMCG110A-M3/57T |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TransZorb® |
SMCG110A-M3/57T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 110V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 122V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 177V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 8.5A |
Leistung - Spitzenimpuls | 1500W (1.5kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-215AB, SMC Gull Wing |
Supplier Device Package | DO-215AB (SMCG) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMCG110A-M3/57T Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SMCG110A-M3/57T-FT |
SM8S16HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S17-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S17A-001HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S17AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S17AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S17HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18A-2HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT6005A-4AI
Microchip Technology
XC3S1000-4FG320C
Xilinx Inc.
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
A3PN125-Z1VQ100
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3N
Intel
LFXP2-8E-5FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N4F45E3LG
Intel
10AX032E2F27I1HG
Intel