Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / SMCG110A-M3/9AT
Herstellerteilenummer | SMCG110A-M3/9AT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SMCG110A-M3/9AT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TransZorb® |
SMCG110A-M3/9AT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 110V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 122V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 177V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 8.5A |
Leistung - Spitzenimpuls | 1500W (1.5kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-215AB, SMC Gull Wing |
Supplier Device Package | DO-215AB (SMCG) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMCG110A-M3/9AT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SMCG110A-M3/9AT-FT |
SM8S17-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S17A-001HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S17AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S17AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S17HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18A-2HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV600-5FG676C
Xilinx Inc.
XC4VFX100-11FF1517C
Xilinx Inc.
M2GL050T-FG484
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
5SGXEA5K1F40C2L
Intel
10M40DAF672C7G
Intel
10AX032H3F35I2SG
Intel
A40MX04-FPQ100
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324I7
Intel