Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / SMUN5315DW1T1G
Herstellerteilenummer | SMUN5315DW1T1G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SMUN5315DW1T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SMUN5315DW1T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 187mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMUN5315DW1T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SMUN5315DW1T1G-FT |
NSBC144EDXV6T5G
ON Semiconductor
NSVBC114YDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC124EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA114YDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC114YPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA123JDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA124XDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBA114YDXV6T1G
ON Semiconductor
XCKU040-2FBVA900I
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
AT6002LV-4AC
Microchip Technology
EP4CE15M9I7N
Intel
EP3C25F256C7ES
Intel
EP3SL200F1517I4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
XC6VLX365T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
10M04DCU324A7G
Intel