Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SPB10N10
Herstellerteilenummer | SPB10N10 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SPB10N10 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SIPMOS® |
SPB10N10 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 10.3A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 7.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 21µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 19.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 426pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 50W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPB10N10 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SPB10N10-FT |
IRLZ44NSTRR
Infineon Technologies
IRLZ44NSTRRPBF
Infineon Technologies
IRLZ44ZS
Infineon Technologies
IRLZ44ZSPBF
Infineon Technologies
IRLZ44ZSTRRPBF
Infineon Technologies
NDBA100N10BT4H
ON Semiconductor
NDBA170N06AT4H
ON Semiconductor
NDBA180N10BT4H
ON Semiconductor
NP100P04PDG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP100P04PLG-E1-AY
Renesas Electronics America
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel