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Infineon Technologies SPB18P06PGATMA1

Name: SPB18P06PGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB18P06PGATMA1
Price: 0.463848 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (106 reviews)

MFG-Teilenummer: SPB18P06PGATMA1

verfügbare Anzahl: 30180 Stücke

Referenzpreis: USD 0.463848

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: SIPMOS® MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SPB18P06PGATMA1.pdf

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SPB18P06PGATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SPB18P06PGATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-SPB18P06PGATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	SIPMOS®
SPB18P06PGATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	18.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	860pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	81.1W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPB18P06PGATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SPB18P06PGATMA1-FT

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