Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SPD50N03S207GBTMA1
Herstellerteilenummer | SPD50N03S207GBTMA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SPD50N03S207GBTMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
SPD50N03S207GBTMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.3 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 85µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 46.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2170pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 136W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPD50N03S207GBTMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SPD50N03S207GBTMA1-FT |
IPD65R950CFDATMA1
Infineon Technologies
IPD65R950CFDBTMA1
Infineon Technologies
IPD70N04S3-07
Infineon Technologies
IPD70N10S312ATMA1
Infineon Technologies
IPD70N10S3L12ATMA1
Infineon Technologies
IPD70R1K4CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD70R1K4P7SAUMA1
Infineon Technologies
IPD70R2K0CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD70R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
IPD70R600CEAUMA1
Infineon Technologies
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel