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Vishay Siliconix SQ2301ES-T1_GE3
- MFG-Teilenummer
- SQ2301ES-T1_GE3
- verfügbare Anzahl
- 45900 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.154072
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Vishay Siliconix
- Kurze Beschreibung
- Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- SQ2301ES-T1_GE3.pdf
SQ2301ES-T1_GE3 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | SQ2301ES-T1_GE3 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-SQ2301ES-T1_GE3 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| SQ2301ES-T1_GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3.9A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 425pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-236 (SOT-23) |
| Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SQ2301ES-T1_GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | SQ2301ES-T1_GE3-FT |
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