Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SQ7414AENW-T1_GE3
Herstellerteilenummer | SQ7414AENW-T1_GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SQ7414AENW-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SQ7414AENW-T1_GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 18A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 8.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1590pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 62W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
Paket / fall | PowerPAK® 1212-8 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ7414AENW-T1_GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SQ7414AENW-T1_GE3-FT |
SIE820DF-T1-E3
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SIE820DF-T1-GE3
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SIE822DF-T1-E3
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SIE822DF-T1-GE3
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SIE830DF-T1-E3
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SIE832DF-T1-GE3
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SIE836DF-T1-GE3
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SIE868DF-T1-GE3
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LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
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10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
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EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
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