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Vishay Siliconix SQD100N02-3M5L_GE3

Name: SQD100N02-3M5L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD100N02-3M5L_GE3
Price: 0.574976 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (500 reviews)

MFG-Teilenummer: SQD100N02-3M5L_GE3

verfügbare Anzahl: 20670 Stücke

Referenzpreis: USD 0.574976

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SQD100N02-3M5L_GE3.pdf

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SQD100N02-3M5L_GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SQD100N02-3M5L_GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SQD100N02-3M5L_GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQD100N02-3M5L_GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5500pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	83W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	TO-252AA
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQD100N02-3M5L_GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SQD100N02-3M5L_GE3-FT

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