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Vishay Siliconix SQD25N06-22L_T4GE3

Name: SQD25N06-22L_T4GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD25N06-22L_T4GE3
Price: 0.564624 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (131 reviews)

MFG-Teilenummer: SQD25N06-22L_T4GE3

verfügbare Anzahl: 61780 Stücke

Referenzpreis: USD 0.564624

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SQD25N06-22L_T4GE3.pdf

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SQD25N06-22L_T4GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SQD25N06-22L_T4GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SQD25N06-22L_T4GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQD25N06-22L_T4GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1975pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	62W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	TO-252AA
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQD25N06-22L_T4GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SQD25N06-22L_T4GE3-FT

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