Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SQJ488EP-T1_GE3
Herstellerteilenummer | SQJ488EP-T1_GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SQJ488EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJ488EP-T1_GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 42A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 7.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 979pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 83W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJ488EP-T1_GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SQJ488EP-T1_GE3-FT |
SIUD406ED-T1-GE3
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SIUD412ED-T1-GE3
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