Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SQJA60EP-T1_GE3
Herstellerteilenummer | SQJA60EP-T1_GE3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SQJA60EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJA60EP-T1_GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 30A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 45W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Paket / fall | PowerPAK® SO-8 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJA60EP-T1_GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SQJA60EP-T1_GE3-FT |
2N6660-2
Vishay Siliconix
2N6660-E3
Vishay Siliconix
2N6660JTVP02
Vishay Siliconix
2N6660JTX02
Vishay Siliconix
2N6660JTXL02
Vishay Siliconix
2N6660JTXP02
Vishay Siliconix
2N6660JTXV02
Vishay Siliconix
2N6661-2
Vishay Siliconix
2N6661-E3
Vishay Siliconix
2N6661JAN02
Vishay Siliconix