Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SQJA72EP-T1_GE3
Herstellerteilenummer | SQJA72EP-T1_GE3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SQJA72EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJA72EP-T1_GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 37A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1390pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 55W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Paket / fall | PowerPAK® SO-8 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJA72EP-T1_GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SQJA72EP-T1_GE3-FT |
2N6660JTX02
Vishay Siliconix
2N6660JTXL02
Vishay Siliconix
2N6660JTXP02
Vishay Siliconix
2N6660JTXV02
Vishay Siliconix
2N6661-2
Vishay Siliconix
2N6661-E3
Vishay Siliconix
2N6661JAN02
Vishay Siliconix
2N6661JTVP02
Vishay Siliconix
2N6661JTX02
Vishay Siliconix
2N6661JTXL02
Vishay Siliconix
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel