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Vishay Siliconix SQM120P10_10M1LGE3

Name: SQM120P10_10M1LGE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM120P10_10M1LGE3
Price: 1.67204 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (609 reviews)

MFG-Teilenummer: SQM120P10_10M1LGE3

verfügbare Anzahl: 44370 Stücke

Referenzpreis: USD 1.67204

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET P-CH 100V 120A TO263

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SQM120P10_10M1LGE3.pdf

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SQM120P10_10M1LGE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SQM120P10_10M1LGE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SQM120P10_10M1LGE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQM120P10_10M1LGE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	190nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	9000pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	375W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	TO-263 (D²Pak)
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQM120P10_10M1LGE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SQM120P10_10M1LGE3-FT

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