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Vishay Siliconix SQS405ENW-T1_GE3

Name: SQS405ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS405ENW-T1_GE3
Price: 0.384808 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (100 reviews)

MFG-Teilenummer: SQS405ENW-T1_GE3

verfügbare Anzahl: 43080 Stücke

Referenzpreis: USD 0.384808

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SQS405ENW-T1_GE3.pdf

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SQS405ENW-T1_GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SQS405ENW-T1_GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SQS405ENW-T1_GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQS405ENW-T1_GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	75nC @ 8V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2650pF @ 6V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	39W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8
Paket / fall	PowerPAK® 1212-8
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQS405ENW-T1_GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SQS405ENW-T1_GE3-FT

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