Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SQS481ENW-T1_GE3
Herstellerteilenummer | SQS481ENW-T1_GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SQS481ENW-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQS481ENW-T1_GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4.7A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.095 Ohm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 385pF @ 75V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 62.5W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
Paket / fall | PowerPAK® 1212-8 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQS481ENW-T1_GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SQS481ENW-T1_GE3-FT |
SIE832DF-T1-E3
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SIE832DF-T1-GE3
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