Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / SS26HE3/5BT
Herstellerteilenummer | SS26HE3/5BT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SS26HE3/5BT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SS26HE3/5BT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 60V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 2A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 2A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 400µA @ 60V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AA, SMB |
Supplier Device Package | DO-214AA (SMB) |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 125°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS26HE3/5BT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SS26HE3/5BT-FT |
ES2GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2B-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2B-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2B-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2B-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2BHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2BHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2C-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel