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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J307T(TE85L,F)

Name: SSM3J307T(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J307T(TE85L,F)
Availability: InStock
Rating: 4.6 (687 reviews)

MFG-Teilenummer: SSM3J307T(TE85L,F)

verfügbare Anzahl: 51340 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: U-MOSV MOSFET P-CH 20V 5A TSM

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SSM3J307T(TE85L,F).pdf

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SSM3J307T(TE85L,F) Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SSM3J307T(TE85L,F)
Zukünftige Teilenummer	FT-SSM3J307T(TE85L,F)
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	U-MOSV
SSM3J307T(TE85L,F) Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1170pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	700mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	TSM
Paket / fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM3J307T(TE85L,F) Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SSM3J307T(TE85L,F)-FT

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