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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K303T(TE85L,F)

Name: SSM3K303T(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K303T(TE85L,F)
Availability: InStock
Rating: 4.9 (452 reviews)

MFG-Teilenummer: SSM3K303T(TE85L,F)

verfügbare Anzahl: 66100 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: π-MOSVII MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SSM3K303T(TE85L,F).pdf

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SSM3K303T(TE85L,F) Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SSM3K303T(TE85L,F)
Zukünftige Teilenummer	FT-SSM3K303T(TE85L,F)
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	π-MOSVII
SSM3K303T(TE85L,F) Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	2.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	83 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	3.3nC @ 4V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	180pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	700mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	TSM
Paket / fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM3K303T(TE85L,F) Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SSM3K303T(TE85L,F)-FT

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