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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K59CTB,L3F

Name: SSM3K59CTB,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K59CTB,L3F
Price: 0.08004 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (598 reviews)

MFG-Teilenummer: SSM3K59CTB,L3F

verfügbare Anzahl: 26050 Stücke

Referenzpreis: USD 0.08004

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: U-MOSVII-H MOSFET N-CH 40V 2A CST3B

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SSM3K59CTB,L3F.pdf

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SSM3K59CTB,L3F Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SSM3K59CTB,L3F
Zukünftige Teilenummer	FT-SSM3K59CTB,L3F
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	U-MOSVII-H
SSM3K59CTB,L3F Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	215 mOhm @ 1A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	1.1nC @ 4.2V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	130pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	CST3B
Paket / fall	3-SMD, No Lead
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM3K59CTB,L3F Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SSM3K59CTB,L3F-FT

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