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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K59CTB,L3F
- MFG-Teilenummer
- SSM3K59CTB,L3F
- verfügbare Anzahl
- 26050 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.08004
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Kurze Beschreibung
- U-MOSVII-H MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- SSM3K59CTB,L3F.pdf
SSM3K59CTB,L3F Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | SSM3K59CTB,L3F |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-SSM3K59CTB,L3F |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | U-MOSVII-H |
| SSM3K59CTB,L3F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 215 mOhm @ 1A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.1nC @ 4.2V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 130pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | CST3B |
| Paket / fall | 3-SMD, No Lead |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SSM3K59CTB,L3F Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | SSM3K59CTB,L3F-FT |
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