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STMicroelectronics STB18NM60ND

Name: STB18NM60ND
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB18NM60ND
Price: 2.75416 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (654 reviews)

MFG-Teilenummer: STB18NM60ND

verfügbare Anzahl: 37140 Stücke

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Hersteller: STMicroelectronics

Kurze Beschreibung: FDmesh™ II MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: STB18NM60ND.pdf

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STB18NM60ND Spezifikationen

Herstellerteilenummer	STB18NM60ND
Zukünftige Teilenummer	FT-STB18NM60ND
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	FDmesh™ II
STB18NM60ND Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	13A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1030pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	110W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D2PAK
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STB18NM60ND Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	STB18NM60ND-FT

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