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STMicroelectronics STH275N8F7-2AG

Name: STH275N8F7-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: STH275N8F7-2AG
Price: 2.26976 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (206 reviews)

MFG-Teilenummer: STH275N8F7-2AG

verfügbare Anzahl: 89480 Stücke

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Hersteller: STMicroelectronics

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: STH275N8F7-2AG.pdf

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STH275N8F7-2AG Spezifikationen

Herstellerteilenummer	STH275N8F7-2AG
Zukünftige Teilenummer	FT-STH275N8F7-2AG
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
STH275N8F7-2AG Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	193nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	13600pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	315W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	H2Pak-2
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STH275N8F7-2AG Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	STH275N8F7-2AG-FT

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