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STMicroelectronics STI11NM60ND
- MFG-Teilenummer
- STI11NM60ND
- verfügbare Anzahl
- 91220 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- STMicroelectronics
- Kurze Beschreibung
- FDmesh™ II MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- STI11NM60ND.pdf
STI11NM60ND Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | STI11NM60ND |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-STI11NM60ND |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | FDmesh™ II |
| STI11NM60ND Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 10A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 90W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Paket / fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| STI11NM60ND Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | STI11NM60ND-FT |
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