Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / STI11NM80
Herstellerteilenummer | STI11NM80 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-STI11NM80 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | MDmesh™ |
STI11NM80 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 43.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1630pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 150W (Tc) |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
Paket / fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STI11NM80 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | STI11NM80-FT |
TPS1101D
Texas Instruments
TPS1100D
Texas Instruments
TPS1100DR
Texas Instruments
TPS1101DR
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CSD22205L
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CSD25485F5T
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LCMXO2-7000HE-6TG144C
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EP1K50TC144-3N
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XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
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XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
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EP1S40F780C5
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EPF6024AQC240-3
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