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STMicroelectronics STP33N60DM2

Name: STP33N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP33N60DM2
Price: 3.68 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (25 reviews)

MFG-Teilenummer: STP33N60DM2

verfügbare Anzahl: 22780 Stücke

Referenzpreis: USD 3.68

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Hersteller: STMicroelectronics

Kurze Beschreibung: MDmesh™ DM2 MOSFET N-CH 600V 24A

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: STP33N60DM2.pdf

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STP33N60DM2 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	STP33N60DM2
Zukünftige Teilenummer	FT-STP33N60DM2
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	MDmesh™ DM2
STP33N60DM2 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	43nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1870pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	190W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STP33N60DM2 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	STP33N60DM2-FT

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