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Herstellerteilenummer | STP35N60M2-EP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-STP35N60M2-EP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | MDmesh™ M2-EP |
STP35N60M2-EP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STP35N60M2-EP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | STP35N60M2-EP-FT |
DMT2004UPS-13
Diodes Incorporated
IRFD113PBF
Vishay Siliconix
SQ4005EY-T1_GE3
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SQ4483EY-T1_GE3
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IAUS165N08S5N029ATMA1
Infineon Technologies
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel