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Herstellerteilenummer | STTH8003CY |
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Zukünftige Teilenummer | FT-STTH8003CY |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Q Automotive |
STTH8003CY Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 300V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 40A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 40A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 60ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 80µA @ 300V |
Betriebstemperatur - Übergang | 175°C (Max) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-3 |
Supplier Device Package | MAX247™ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STTH8003CY Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | STTH8003CY-FT |
HN1D01FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2S03FE(TE85L,F)
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HN2D01JE(TE85L,F)
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HN2S02JE(TE85L,F)
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1SS226,LF
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TBAW56,LM
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TBAV70,LM
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1SS361,LJ(CT
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1SS362TE85LF
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1SS423(TE85L,F)
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XC4013XL-1HT144I
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XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU040-L1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC2V1000-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-CQ208B
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AGLN250V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP4CE15F23I8LN
Intel
5SGXEA5N2F40I3N
Intel
A40MX04-PLG84I
Microsemi Corporation
EP1S30B956C7
Intel