Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / STW9N150
Herstellerteilenummer | STW9N150 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-STW9N150 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PowerMESH™ |
STW9N150 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 8A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 89.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3255pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 320W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247-3 |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STW9N150 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | STW9N150-FT |
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XC3S50-4TQG144I
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XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
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MPF300T-1FCG1152E
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AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
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LFEC6E-3Q208I
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LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
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