Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / STW9N150
Herstellerteilenummer | STW9N150 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-STW9N150 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PowerMESH™ |
STW9N150 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 8A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 89.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3255pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 320W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247-3 |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STW9N150 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | STW9N150-FT |
STI6N80K5
STMicroelectronics
STI6N95K5
STMicroelectronics
STI22NM60N
STMicroelectronics
STI4N62K3
STMicroelectronics
STB7NK80Z-1
STMicroelectronics
STI24NM60N
STMicroelectronics
STB10NK60Z-1
STMicroelectronics
STB11NM60-1
STMicroelectronics
STB11NM60N-1
STMicroelectronics
STB12NM60N-1
STMicroelectronics
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel