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STMicroelectronics STB12NM60N-1

Name: STB12NM60N-1
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB12NM60N-1
Availability: InStock
Rating: 5.0 (150 reviews)

MFG-Teilenummer: STB12NM60N-1

verfügbare Anzahl: 40980 Stücke

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Hersteller: STMicroelectronics

Kurze Beschreibung: MDmesh™ II MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: STB12NM60N-1.pdf

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STB12NM60N-1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	STB12NM60N-1
Zukünftige Teilenummer	FT-STB12NM60N-1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	MDmesh™ II
STB12NM60N-1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	410 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	30.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	960pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	90W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	I2PAK
Paket / fall	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STB12NM60N-1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	STB12NM60N-1-FT

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