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STY100NM60N Image

STMicroelectronics STY100NM60N

MFG-Teilenummer
STY100NM60N
verfügbare Anzahl
70390 Stücke
Referenzpreis
USD 21.704
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
MDmesh™ II MOSFET N CH 600V 98A MAX247
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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STY100NM60N Spezifikationen

Herstellerteilenummer STY100NM60N
Zukünftige Teilenummer FT-STY100NM60N
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie MDmesh™ II
STY100NM60N Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 98A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 49A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 10V
Vgs (Max) 25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9600pF @ 50V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 625W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package MAX247™
Paket / fall TO-247-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STY100NM60N Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer STY100NM60N-FT

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