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Vishay Siliconix SUD35N10-26P-GE3

Name: SUD35N10-26P-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD35N10-26P-GE3
Price: 0.8876 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (134 reviews)

MFG-Teilenummer: SUD35N10-26P-GE3

verfügbare Anzahl: 53180 Stücke

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SUD35N10-26P-GE3.pdf

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SUD35N10-26P-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SUD35N10-26P-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SUD35N10-26P-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET®
SUD35N10-26P-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 12V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	8.3W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	TO-252, (D-Pak)
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SUD35N10-26P-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SUD35N10-26P-GE3-FT

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