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Vishay Siliconix SUD35N10-26P-T4GE3

MFG-Teilenummer
SUD35N10-26P-T4GE3
verfügbare Anzahl
16550 Stücke
Referenzpreis
USD 0.890136
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
TrenchFET® MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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SUD35N10-26P-T4GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer SUD35N10-26P-T4GE3
Zukünftige Teilenummer FT-SUD35N10-26P-T4GE3
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie TrenchFET®
SUD35N10-26P-T4GE3 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 12V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Paket / fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SUD35N10-26P-T4GE3 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer SUD35N10-26P-T4GE3-FT

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