Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SUM09N20-270-E3
Herstellerteilenummer | SUM09N20-270-E3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SUM09N20-270-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SUM09N20-270-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 580pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.75W (Ta), 60W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-263 (D2Pak) |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUM09N20-270-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SUM09N20-270-E3-FT |
SIR642DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR644DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR646DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR664DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR688DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR788DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR802DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR804DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR808DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR812DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel