Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SUM110N03-03P-E3
Herstellerteilenummer | SUM110N03-03P-E3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SUM110N03-03P-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SUM110N03-03P-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 110A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12100pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.75W (Ta), 375W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-263 (D2Pak) |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUM110N03-03P-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SUM110N03-03P-E3-FT |
SIR646DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR664DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR688DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR788DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR802DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR804DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR808DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR812DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR814DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR818DP-T1-GE3
Vishay Siliconix