Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - Thyristoren / T600021804BT
Herstellerteilenummer | T600021804BT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-T600021804BT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
T600021804BT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 200V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 3V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 150mA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.8V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 175A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 275A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | - |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 25mA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 5000A, 5500A |
SCR-Typ | Standard Recovery |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Befestigungsart | Chassis, Stud Mount |
Paket / fall | TO-209AB, TO-93-4, Stud |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
T600021804BT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | T600021804BT-FT |
VS-ST303S08PFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303S08PFL1P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303S12PFK0P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST303S12PFK1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST330C04C1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST330C04L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST330C08C1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST330C08L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST330C12C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST330C12C1
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
EP1AGX60CF484C6N
Intel
EP1K100FI256-2
Intel
5SGXMBBR3H43C3N
Intel
EP4SE360F35C3
Intel
APA150-TQ100
Microsemi Corporation
A40MX02-3PQG100
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N4F45I3SGE2
Intel
EP2SGX60CF780C3
Intel