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Toshiba Semiconductor and Storage TK100E06N1,S1X

Name: TK100E06N1,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK100E06N1,S1X
Price: 2 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (318 reviews)

MFG-Teilenummer: TK100E06N1,S1X

verfügbare Anzahl: 88960 Stücke

Referenzpreis: USD 2

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: U-MOSVIII-H MOSFET N CH 60V 100A TO-220

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TK100E06N1,S1X.pdf

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TK100E06N1,S1X Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TK100E06N1,S1X
Zukünftige Teilenummer	FT-TK100E06N1,S1X
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	U-MOSVIII-H
TK100E06N1,S1X Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	10500pF @ 30V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	255W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK100E06N1,S1X Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TK100E06N1,S1X-FT

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