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Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60W,S4VX
- MFG-Teilenummer
- TK12A60W,S4VX
- verfügbare Anzahl
- 93950 Stücke
- Referenzpreis
- USD 2.57408
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Kurze Beschreibung
- DTMOSIV MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- TK12A60W,S4VX.pdf
TK12A60W,S4VX Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | TK12A60W,S4VX |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-TK12A60W,S4VX |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | DTMOSIV |
| TK12A60W,S4VX Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 11.5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 5.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 600µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 300V |
| FET-Funktion | Super Junction |
| Verlustleistung (max.) | 35W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Paket / fall | TO-220-3 Full Pack |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TK12A60W,S4VX Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | TK12A60W,S4VX-FT |
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