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Herstellerteilenummer | TK20E60W,S1VX |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TK20E60W,S1VX |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | DTMOSIV |
TK20E60W,S1VX Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 20A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1680pF @ 300V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 165W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK20E60W,S1VX Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TK20E60W,S1VX-FT |
SQJ886EP-T1_GE3
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A1020B-VQG80I
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XC6VLX75T-L1FFG484I
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Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
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XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
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EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel