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Toshiba Semiconductor and Storage TK13E25D,S1X(S

Name: TK13E25D,S1X(S
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK13E25D,S1X(S
Price: 1.48 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (69 reviews)

MFG-Teilenummer: TK13E25D,S1X(S

verfügbare Anzahl: 63200 Stücke

Referenzpreis: USD 1.48

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 250V 13A TO-220AB

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TK13E25D,S1X(S.pdf

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TK13E25D,S1X(S Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TK13E25D,S1X(S
Zukünftige Teilenummer	FT-TK13E25D,S1X(S
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
TK13E25D,S1X(S Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	13A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	102W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220-3
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK13E25D,S1X(S Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TK13E25D,S1X(S-FT

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