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Herstellerteilenummer | TK17E80W,S1X |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TK17E80W,S1X |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | DTMOSIV |
TK17E80W,S1X Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 17A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 8.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 850µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2050pF @ 300V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 180W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK17E80W,S1X Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TK17E80W,S1X-FT |
IRLI520G
Vishay Siliconix
IRLI530G
Vishay Siliconix
IRLI620G
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IRLI620GPBF
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IRLI630G
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IRLI640G
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IRLIB4343
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IRLIB9343
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IRLIZ14G
Vishay Siliconix
IRLIZ24NPBF
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel