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Herstellerteilenummer | TK20G60W,RVQ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TK20G60W,RVQ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | DTMOSIV |
TK20G60W,RVQ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 20A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1680pF @ 300V |
FET-Funktion | Super Junction |
Verlustleistung (max.) | 165W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D2PAK |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK20G60W,RVQ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TK20G60W,RVQ-FT |
NTB85N03T4G
ON Semiconductor
SIHB18N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHB21N65EF-GE3
Vishay Siliconix
SIHB28N60EF-GE3
Vishay Siliconix
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SPB02N60S5ATMA1
Infineon Technologies
SPB03N60C3ATMA1
Infineon Technologies
SPB03N60S5ATMA1
Infineon Technologies
SPB04N50C3ATMA1
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
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5SGXMB6R2F40I2N
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5SGSMD3E3H29C2N
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EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
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LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
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EP4SGX230HF35I4N
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