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Toshiba Semiconductor and Storage TK22E10N1,S1X

MFG-Teilenummer
TK22E10N1,S1X
verfügbare Anzahl
69770 Stücke
Referenzpreis
USD 1.096
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
U-MOSVIII-H MOSFET N CH 100V 52A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
TK22E10N1,S1X.pdf
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TK22E10N1,S1X Spezifikationen

Herstellerteilenummer TK22E10N1,S1X
Zukünftige Teilenummer FT-TK22E10N1,S1X
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie U-MOSVIII-H
TK22E10N1,S1X Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 52A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.8 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 300µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 50V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 72W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220
Paket / fall TO-220-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK22E10N1,S1X Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer TK22E10N1,S1X-FT

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