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Toshiba Semiconductor and Storage TK31J60W5,S1VQ

Name: TK31J60W5,S1VQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31J60W5,S1VQ
Price: 5.75648 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (396 reviews)

MFG-Teilenummer: TK31J60W5,S1VQ

verfügbare Anzahl: 55420 Stücke

Referenzpreis: USD 5.75648

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: DTMOSIV MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3PN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TK31J60W5,S1VQ.pdf

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TK31J60W5,S1VQ Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TK31J60W5,S1VQ
Zukünftige Teilenummer	FT-TK31J60W5,S1VQ
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	DTMOSIV
TK31J60W5,S1VQ Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	30.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	88 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 1.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	105nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 300V
FET-Funktion	Super Junction
Verlustleistung (max.)	230W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-3P(N)
Paket / fall	TO-3P-3, SC-65-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK31J60W5,S1VQ Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TK31J60W5,S1VQ-FT

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