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TK31V60X,LQ Image

Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60X,LQ

MFG-Teilenummer
TK31V60X,LQ
verfügbare Anzahl
17890 Stücke
Referenzpreis
USD 1.95104
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
DTMOSIV-H MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
TK31V60X,LQ.pdf
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TK31V60X,LQ Spezifikationen

Herstellerteilenummer TK31V60X,LQ
Zukünftige Teilenummer FT-TK31V60X,LQ
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie DTMOSIV-H
TK31V60X,LQ Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 30.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 98 mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 300V
FET-Funktion Super Junction
Verlustleistung (max.) 240W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 4-DFN-EP (8x8)
Paket / fall 4-VSFN Exposed Pad
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK31V60X,LQ Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer TK31V60X,LQ-FT

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