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Toshiba Semiconductor and Storage TK39J60W5,S1VQ

Name: TK39J60W5,S1VQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK39J60W5,S1VQ
Price: 8.84 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (121 reviews)

MFG-Teilenummer: TK39J60W5,S1VQ

verfügbare Anzahl: 59440 Stücke

Referenzpreis: USD 8.84

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: DTMOSIV MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3PN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: TK39J60W5,S1VQ.pdf

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TK39J60W5,S1VQ Spezifikationen

Herstellerteilenummer	TK39J60W5,S1VQ
Zukünftige Teilenummer	FT-TK39J60W5,S1VQ
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	DTMOSIV
TK39J60W5,S1VQ Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	38.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 1.9mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	135nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4100pF @ 300V
FET-Funktion	Super Junction
Verlustleistung (max.)	270W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-3P(N)
Paket / fall	TO-3P-3, SC-65-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK39J60W5,S1VQ Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	TK39J60W5,S1VQ-FT

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